超小形電子デバイスおよび基材用コーテイング

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-021076
公開番号（公開出願番号）：特開平5-106054
出願日： 1991年02月14日
公開日（公表日）： 1993年04月27日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】電子デバイス上にセラミックまたはセラミック状コーティングを形成させる方法、並びにそれによって塗着された基材を提供する。【構成】基材を、溶剤、水素シルセスキオキサン樹脂、並びに、酸化タンタル前駆物質、酸化ニオブ前駆物質、酸化バナジウム前駆物質、酸化リン前駆物質、および酸化ホウ素前駆物質からなる群から選ばれた改質用セラミック酸化物前駆物質を含む溶液でコーティングすることが含まれる。次いで溶剤は、蒸発させ、それによって基材上にプレセラミックコーティングを付着させる。次いで、プレセラミックコーティングを約40°C〜約1000°Cの温度に加熱することによってセラミック化する。さらに、このコーティングは、さらなるパッシベーションおよびバリヤコーティングで被覆されることもできる。

請求項（抜粋）：

基材上にセラミックまたはセラミック状コーティングを形成させる方法であって;前記基板を、溶剤、水素シルセスキオキサン樹脂、並びに酸化タンタル前駆物質、酸化ニオブ前駆物質、酸化バナジウム前駆物質、酸化リン前駆物質、および酸化ホウ素前駆物質からなる群から選ばれた改質用セラミック酸化物前駆物質を含む溶液でコーティングし;前記溶剤を蒸発させ、それによって前記基材上にプレセラミックコーティングを付着させ;そして約40°C〜約1000°Cの温度に加熱することによって前記プレセラミックコーティングをセラミック化することを含む方法。

IPC (2件)：

C23C 18/12 , H01L 21/314

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭63-152130
特開昭63-152131
特開昭62-037378

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