半導体不揮発性記憶装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-135514
公開番号（公開出願番号）：特開平10-326843
出願日： 1997年05月26日
公開日（公表日）： 1998年12月08日
要約：

【要約】【課題】ビット線がビット線方向の溝に埋め込まれており、平坦化された半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板10の活性領域上に形成された第1絶縁膜21と、活性領域の両側部に半導体基板10に対して凸に形成された素子分離絶縁膜20cと、第1絶縁膜21上に形成されたフローティングゲート30aと、フローティングゲート30a上に形成された第2絶縁膜22と、第2絶縁膜22上に形成されたコントロールゲート電極31と、コントロールゲート電極31上に形成された第3絶縁膜23と、素子分離絶縁膜20c間に形成された第3絶縁膜23上面のビット線方向の溝と、第3絶縁膜23上に形成され、溝に埋め込まれたビット線32を有する構成とする。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートに電荷を蓄積する半導体不揮発性記憶装置であって、半導体基板の活性領域上に形成された第1絶縁膜と、前記活性領域の両側部に前記半導体基板に対して凸に形成された素子分離絶縁膜と、前記第1絶縁膜上に形成されたフローティングゲートと、前記フローティングゲート上に形成された第2絶縁膜と、前記第2絶縁膜上に形成されたコントロールゲート電極と、前記コントロールゲート電極上に形成された第3絶縁膜と、前記素子分離絶縁膜間に形成された前記第3絶縁膜上面のビット線方向の溝と、前記第3絶縁膜上に形成され、前記溝に埋め込まれたビット線とを有する半導体不揮発性記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792 , H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 , H01L 27/10 434

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