特許
J-GLOBAL ID：200903038132625770

光起電力素子の製造方法

発明者：
杉山 秀一郎

杉山 秀一郎 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  永井 道雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-273864
公開番号（公開出願番号）：特開2009-105130
出願日： 2007年10月22日
公開日（公表日）： 2009年05月14日
要約：
【課題】コストを増加させずに光電変換効率を向上させる光起電力素子の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】基板101の上に前駆体膜102aを形成する工程と、前駆体膜102aの上に第2の半導体薄膜103を形成する工程と、第2の半導体薄膜103をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前駆体膜102aを結晶化して第1の半導体薄膜102bを形成する工程と、を含むことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の上に前駆体膜を形成する工程と、 前記前駆体膜の上に第2の半導体薄膜を形成する工程と、 前記第2の半導体薄膜をキャップ層として熱エネルギーを付与することにより、前記前駆体膜を結晶化して第1の半導体薄膜を形成する工程と、を含むことを特徴とする光起電力素子の製造方法。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 E
Fターム (10件)：
5F051AA10 ,  5F051CA04 ,  5F051CA14 ,  5F051CB12 ,  5F051CB14 ,  5F051CB24 ,  5F051CB25 ,  5F051FA02 ,  5F051FA06 ,  5F051GA03
引用特許：
出願人引用 (3件)

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