特許
J-GLOBAL ID：200903038136392223
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-298390
公開番号（公開出願番号）：特開平6-152094
出願日： 1992年11月09日
公開日（公表日）： 1994年05月31日
要約：
【要約】【構成】金属ベースの上に、電極処理を施した絶縁基板を配置し、その上に半導体素子が配置された半導体装置において、金属ベースの絶縁基板側に突起が設けられている。【効果】大形の絶縁板を有する半導体装置の温度変化に伴う熱疲労信頼性を向上できる構造の提供。また作業性,組立精度の向上を図った製造方法の提供ができる。
請求項（抜粋）：
金属ベースの上に、電極処理を施した絶縁基板を配置し、その上に半導体素子が配置された半導体装置において、金属ベースの絶縁基板側に突起が設けられていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
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