特許

J-GLOBAL ID：200903038137574406

酸化錫膜をもつ結晶基板及びその製造方法

発明者： 金子 正治
出願人/特許権者： 新技術事業団
代理人 (1件)： 小倉 亘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-236164
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063954
出願日： 1995年08月22日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【目的】 結晶面が特定方位に配向した結晶膜をガラス基板上に生成することにより、半導体デバイス,薄膜作製に有用な結晶基板を安価に且つ簡便に得る。【構成】 ジブチル錫ジアセテートの熱分解によって生成され、(100)面に選択的に配向した酸化錫膜、或いはテトラブチル錫の熱分解により生成され、(110)面に選択的に配向した酸化錫膜がガラス板の表面に形成されている。【効果】 特定の結晶面が基板表面に向いていることから単結晶基板に近い特性をもつ基板となる。

請求項（抜粋）：

ジブチル錫ジアセテートの熱分解によって生成され、(100)面に選択的に配向した酸化錫膜がガラス板の表面に形成されている酸化錫膜をもつ結晶基板。

IPC (6件)：

H01L 21/20 ,  C03C 17/27 ,  C23C 18/12 ,  C30B 7/06 ,  C30B 29/16 ,  C23C 14/08

FI (6件)：

H01L 21/20 ,  C03C 17/27 ,  C23C 18/12 ,  C30B 7/06 ,  C30B 29/16 ,  C23C 14/08 D