特許

J-GLOBAL ID：200903038141022990

半導体装置とその製造方法

発明者： 角 博文
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 隆久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-352266
公開番号（公開出願番号）：特開平5-167007
出願日： 1991年12月13日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：

【要約】【目的】 プラグイン方式の半導体装置において,導電性プラグと接続されるTFTのドレーンまたはソースの接触面を大きくし接触抵抗値を低下させる。【構成】 本発明のプラグイン方式半導体装置においては,導電性プラグ39と直交方向に接続されるTFTのTFTドレーン領域33を構成するポリシリコン層23を,導電性プラグ39と接触する近傍のみをポリシリコン肉厚層23Aとしてのみ厚く形成する。

請求項（抜粋）：

導電層または半導体層をこれらの層と直交する方向から導電性接続部材によって接続する半導体装置において,上記導電性接続部材と直交して接続される導電層または半導体層のうち上記導電性接続部材に接続する部分の周囲のみ厚く形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 27/00 301 ,  H01L 27/06 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (3件)：

H01L 27/06 102 E ,  H01L 27/06 102 B ,  H01L 29/78 311 C