特許
J-GLOBAL ID：200903038142588458
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-281134
公開番号（公開出願番号）：特開平6-013456
出願日： 1984年06月19日
公開日（公表日）： 1994年01月21日
要約：
【要約】【構成】 表面が鏡面研磨され、少なくとも一方の接合すべき面が絶縁膜で覆われた二枚の半導体単結晶基板を洗浄な雰囲気下で密着させ、実質的に外力による圧力を加えることなく200°C以上であって前記絶縁膜が溶融しない範囲の温度で熱処理して接合する工程と、接合された半導体単結晶基板の少なくとも一方に能動素子を形成する工程と、形成された素子の分離領域の半導体単結晶を接合部に介在する前記絶縁膜に達する深さまで除去する工程と、この工程で露出した半導体単結晶表面に絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法である。【効果】 簡便な工程で、素子分離を行なった半導体装置を得ることができる。
請求項（抜粋）：
表面が鏡面研磨され、少なくとも一方の接合すべき面が絶縁膜で覆われた二枚の半導体単結晶基板を清浄な雰囲気下で密着させ、実質的に外力による圧力を加えることなく200°C以上であって前記絶縁膜が溶融しない範囲の温度で熱処理して接合する工程と、接合された半導体単結晶基板の少なくとも一方に能動素子を形成する工程と、形成された素子の分離領域の半導体単結晶を接合部に介在する前記絶縁膜に達する深さまで除去する工程と、この工程で露出した半導体単結晶表面に絶縁膜を形成する工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/76
, H01L 21/02
, H01L 27/12
