特許
J-GLOBAL ID：200903038145612139
光CVD装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
西元 勝一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-029227
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022326
出願日： 1992年02月17日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：
【要約】【目的】 長期間の成膜操作を行っても整流ガス吹き出し口における詰まりを防止し長期間の成膜操作を可能とした光CVD装置を提供すること。【構成】 整流ガス吹き出し口6を介して反応室内1に供給されたガスに光入射窓2を透過して低圧水銀ランプ等の光源3からの光を照射することにより光化学反応を促進し、反応室1内に設置された基板5上に薄膜を堆積させるに際して、光源3から光入射窓2を介して反応室1内に供給される光が整流ガス吹き出し口6に照射されないように遮蔽板4を設置した。遮蔽板4は、整流ガス吹き出し口6側になるにつれてその長さが長くなっている。
請求項（抜粋）：
整流ガス吹き出し口を介して反応室内に供給されたガスに光入射窓を透過して光源からの光を照射することにより光化学反応を促進し、反応室内に設置された基板上に薄膜を堆積させる光CVD装置において、前記光源から光入射窓を介して反応室内に供給される光が前記整流ガス吹き出し口に照射されないように光源付近に遮蔽板を設置したことを特徴とする光CVD装置。
IPC (2件)：
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