特許

J-GLOBAL ID：200903038146399471

炭化珪素とシリコンの接合方法

発明者： 北村 佳恵子 ,  矢部 秀毅 ,  佐々木 圭
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-132259
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316187
出願日： 2000年05月01日
公開日（公表日）： 2001年11月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、シリコンとシリコンカーバイドの接合方法に関し、特に、半導体装置の製造に用いられる写真製版工程の1種であるX線リソグラフィーにおいて、原版として使用されるX線マスクや、電子線一括露光において使用されるスカルペルマスクなどの観察、評価の方法に適応可能であって、シリコンカーバイド皮膜にシリコンチップを接合する方法を提供する。【解決手段】 炭化珪素とシリコンの少なくともいずれか一方をフッ化水素酸溶液で表面処理をし、次いで、該処理面を他方に接触させ、中間接着層を介在させることなく、炭化珪素とシリコンとを接合する。特に、この接合方法は、炭化珪素薄膜上に微細パターンが形成されているメンブレンマスクの当該薄膜の裏面に、フッ化水素酸溶液で表面処理したシリコンチップを密着させて接合し、シリコンチップを破断分離させて、次いで、パターンの破断断面を形成し、微細パターンの断面を観察するのに適用がある。

請求項（抜粋）：

炭化珪素とシリコンの少なくともいずれか一方をフッ化水素酸溶液で表面処理をし、次いで、該処理面を他方に接触させ、中間接着層を介在させることなく、炭化珪素とシリコンとを接合する接合方法。

IPC (2件)：

C04B 37/02 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

C04B 37/02 Z ,  H01L 21/30 531 M

Fターム (5件)：

4G026BA14 ,  4G026BB04 ,  4G026BG22 ,  4G026BH06 ,  5F046GD19