特許

J-GLOBAL ID：200903038151421256

CVD装置

発明者： 大濱 秀生
出願人/特許権者： 松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-251098
公開番号（公開出願番号）：特開平10-097997
出願日： 1996年09月24日
公開日（公表日）： 1998年04月14日
要約：

【要約】【課題】 大気圧にするための不活性ガスの流束により、ロードロック室内に付着した反応生成物が巻き上げられてしまう。【解決手段】 ロードロック室2を大気圧にするための不活性ガスを制御バルブ5により制御し、従来のノズルから多孔質ノズルを有したガス導入機構8に変更することにより、不活性ガスの流束によるロードロック室2内に付着した反応生成物の巻き上げを防止し、治具内にある半導体基板上にパーティクルの付着を防止することにより、ロードロック室2内に付着した反応生成物の巻き上げを防止でき、また治具内の基板上へのパーティクル付着をも防止できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板に対して膜成長を行う処理室と、前記処理室に接続されたロードロック室と、前記処理室と前記ロードロック室とを隔離するゲートバルブと、前記ロードロック室と大気とを隔離するアウタードアと、前記半導体基板を載置する治具を有し、前記治具を前記処理室およびロードロック室内部で移動する治具機構と、前記ロードロック室内に不活性ガスを導入するための制御バルブとを備え、前記ロードロック室内に露出するガス導入部分が多孔質材料で構成されていることを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 D ,  H01L 21/31 B