特許
J-GLOBAL ID:200903038160230315

高周波多層集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 小鍜治 明 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-081815
公開番号(公開出願番号):特開平6-291520
出願日: 1992年04月03日
公開日(公表日): 1994年10月18日
要約:
【要約】【目的】 本発明は、高周波多層集積回路に関するもので、特に埋め込みストリップラインと、表面回路部の機能をうまく使い分けるとともに、靜電容量回路部をさらに分離することにより、高周波回路を小型化し、高周波特性を高性能化した構造を提供することを目的とする。【構成】 上下に接地電極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路部と、それに積層して設けられた高誘電率誘電体層と、さらにその上に形成された誘電体上に形成された電気回路部と、それらを接続するビアホールからなり、前記電気回路部に前記ストリップライン回路部のインピーダンス整合調整回路や直流バイアス回路を形成し、高誘電率誘電体層に靜電容量回路部を形成するようにした高周波多層集積回路。
請求項(抜粋):
上下に接地電極を有する誘電体に埋め込まれたストリップライン回路部と、前記接地電極の少なくとも一方を共有する、ストリップライン回路埋め込みの誘電体よりも誘電率の高い誘電体からなる層を有し、その上に、前記共有接地電極との間の靜電容量を利用した靜電容量回路部を有し、さらにその上の誘電体層上に形成された電気回路部からなり、前記ストリップライン回路部と前記靜電容量回路部と前記電気回路部とが、各接地電極を貫通するビアホールによって、電気的に接続されていることを特徴とする高周波多層集積回路。
IPC (4件):
H01P 5/08 ,  H01L 27/00 301 ,  H01P 3/08 ,  H05K 3/46
引用特許:
審査官引用 (28件)
  • 特開平3-165102
  • 特開平2-177702
  • 特開昭63-186451
全件表示

前のページに戻る