特許
J-GLOBAL ID：200903038164579495
半導体薄膜の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-281419
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121350
出願日： 1991年10月28日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】レーザアニール時に、被アニール層を透過するレーザによる支持基体材料の加熱を防ぐ。【構成】支持基体102材料上にレーザの遮蔽層104及び低熱伝導層を形成することによって、レーザによる基板の直接加熱及び間接加熱を防ぎ、支持基体102の破損、不純物の拡散を促進することなく任意のエネルギー密度によるレーザアニールを実現する。
請求項（抜粋）：
レーザ照射工程を有する半導体薄膜製造方法において、支持基体上に前記レーザの透過成分を減少させ得る遮蔽層を予め形成し、前記遮蔽層上に形成した半導体薄膜をレーザアニールすることを特徴とする半導体薄膜製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/268
, H01L 21/20
, H01L 21/336
, H01L 29/784
