特許
J-GLOBAL ID：200903038165094479
レーザテキスチャ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-330203
公開番号（公開出願番号）：特開平9-168882
出願日： 1995年12月19日
公開日（公表日）： 1997年06月30日
要約：
【要約】【課題】 磁気記録媒体の製造過程で行われるテキスチャ加工をレーザ光により行うレーザテキスチャ装置において、光源に半導体レーザを用いること。【解決手段】 半導体レーザ光発振源、該発振源から発振されたレーザ光から平行光線束を得るコリメータレンズ、該平行光線束を集光する集光機構、前記基板を支持する基板支持機構を備え、発振源から基板に達するまでの区間にレーザプロファイルを長径/短径の比で、1.0〜1.5の範囲に調整するビーム成形手段を有することを特徴とするレーザテキスチャ装置。
請求項（抜粋）：
非磁性基板上に、少なくとも磁性層を有し、必要に応じて他の層を設けた磁気記録媒体の、非磁性基板、磁性層又は他の層の表面に、半導体レーザ光を集光照射しテキスチャ加工を施すためのレーザテキスチャ装置であって、半導体レーザ光発振源、該発振源から発振されたレーザ光から平行光線束を得るコリメータレンズ、該平行光線束を集光する集光機構、前記基板を支持する基板支持機構を備え、発振源から基板に達するまでの区間にレーザプロファイルを長径/短径の比で、1.0〜1.5の範囲に調整するビーム成形手段を有することを特徴とするレーザテキスチャ装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
B23K 26/06 Z
, G11B 5/84 A
