半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：最上健治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-272122
公開番号（公開出願番号）：特開平9-092675
出願日： 1995年09月27日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】ボンディングワイヤを必要とせず高密度実装が可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】表面に半導体素子2を一体的に形成した半導体基板1の表面には、表面第一層配線10と表面第二層配線13を設け、裏面には裏面第一層配線16と裏面第二層配線19を設けると共に、表面第一層配線10と裏面第一層配線16とを半導体基板1に形成した基板貫通孔5に設けた導電体層7で選択的に接続し、更に表面第二層配線13及び裏面第二層配線19上に選択的にハンダ密着層23を介してハンダバンプ24を形成して半導体装置を構成する。

請求項（抜粋）：

半導体素子を一主面に一体的に形成した半導体基板において、該半導体基板の一主面から他の主面まで貫通して形成された配線と、一主面及び他の主面の両方に形成された配線とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 21/60

FI (2件)：

H01L 21/60 311 Q , H01L 21/60 311 S

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭63-213943
特開平2-090624
特開平2-162745

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