特許

J-GLOBAL ID：200903038170195690

MOSトランジスタおよびその製造方法

発明者： 小寺 賢治
出願人/特許権者： 日本プレシジヨン・サーキツツ株式会社
代理人 (1件)： 松田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-310649
公開番号（公開出願番号）：特開平5-152568
出願日： 1991年11月26日
公開日（公表日）： 1993年06月18日
要約：

【要約】【目的】 トランジスタの微細化に伴う特性、信頼性を改善するMOSトランジスタを提供することである。【構成】 シリコン基板1上に、第1ゲート絶縁層2およびゲート電極3を形成する。そして、酸素イオン注入層4を形成して熱処理を行ない、第2のゲート絶縁層5を形成する。このとき、ガウス分布にてゲート電極3エッジ下にも存在していた酸素イオンにより、ゲート電極3のエッジ下の第2のゲート酸化層5も厚くなる。

請求項（抜粋）：

ゲート電極エッジ下のゲート絶縁層が他の部分のゲート絶縁層よりも厚いことを特徴とするMOSトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 301 L

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-046774
  
• 特開平2-266533