特許
J-GLOBAL ID:200903038175531753

イメージセンサ

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 篠部 正治
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-129899
公開番号(公開出願番号):特開2000-324297
出願日: 1999年05月11日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】複数の光センサと光センサの平均光量の光を受光する光量モニタをCCDセンサ・光量モニタ部101内に持つイメージセンサとしてのCCDマルチラインセンサ100にて、被写体が低照度で最大積分時間内に光量モニタが所定の電荷を蓄積できぬ場合にも画像取得時間を極力短縮し、イメージセンサの移動被写体測距装置への適用を可能にする。【解決手段】被写体の低照度時、最大積分時間到達時点の光量モニタ出力51のレベルを積分状態判定回路106のコンパレータCP1〜CP3により判定し、その判定結果に応じ増倍回路104のスイッチSW1〜SW3を切替え、光センサ出力である画素信号5を増幅するオペアンプOP1のゲインを可変設定する。ここで、CCDマルチラインセンサ100内の回路を同一半導体チップ上に設け、従来のようにモニタ出力のレベル判定や増倍回路のゲイン設定を外部制御装置200に頼らず、積分時間以外の時間を最短にする。
請求項(抜粋):
それぞれ画素となる複数の光センサと、この複数の光センサが受光する光の平均の光量の光を受光する光量モニタとを持ち、常時は、光量モニタが所定の電荷を蓄積する期間に光センサが蓄積した電荷の蓄積量を当該センサの受光の光量として検出するイメージセンサであって、被写体の照度が低く、光量モニタが所定の期間に前記所定の電荷を蓄積するに至らぬとき、この所定の期間に光量モニタが蓄積した電荷の蓄積量を検出するモニタ蓄積電荷検出手段と、この所定の期間に光センサが蓄積した電荷の蓄積量の値を、前記モニタ蓄積電荷検出手段によって検出された光量モニタの電荷の蓄積量に応じて予め定めたゲインにより増幅するセンサ蓄積電荷増幅手段とを備え、この増幅された光センサの電荷の蓄積量の値を、被写体の低照度時における当該センサの受光の光量として検出することを特徴とするイメージセンサ。
IPC (4件):
H04N 1/028 ,  H01L 27/148 ,  H04N 1/19 ,  H04N 5/335
FI (5件):
H04N 1/028 A ,  H04N 5/335 Q ,  H04N 5/335 Z ,  H01L 27/14 B ,  H04N 1/04 103 E
Fターム (44件):
4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118AB10 ,  4M118BA10 ,  4M118CA02 ,  4M118CA17 ,  4M118DB01 ,  4M118DD05 ,  4M118DD09 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  4M118FA14 ,  4M118FA39 ,  5C024AA01 ,  5C024AA20 ,  5C024CA00 ,  5C024FA01 ,  5C024FA02 ,  5C024FA08 ,  5C024FA11 ,  5C024GA01 ,  5C024GA11 ,  5C024GA23 ,  5C024GA48 ,  5C024HA10 ,  5C024HA18 ,  5C051AA01 ,  5C051BA02 ,  5C051DB01 ,  5C051DB07 ,  5C051DB15 ,  5C051DC03 ,  5C051DE05 ,  5C051DE12 ,  5C051DE17 ,  5C051FA01 ,  5C072AA01 ,  5C072BA03 ,  5C072BA11 ,  5C072EA05 ,  5C072FA01 ,  5C072FB25 ,  5C072XA01

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