マスクパターン及びこれを使用した微細パターンの形成方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八田幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-106001
公開番号（公開出願番号）：特開平7-134395
出願日： 1994年04月21日
公開日（公表日）： 1995年05月23日
要約：

【要約】【構成】フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するためのマスクパターンにおいて、前記マスクパターン間に露光によってレジストパターンが形成されない程度の大きさで追加パターンがさらに具備されたマスクパターン、及び前記マスクパターンを使用することにより特殊な形態のパターンにおいて、プロファイルが向上された微細パターンを形成する方法である。【効果】過露光により望ましくないパターン損失がある領域におけるパターン損失が減少され優秀なプロファイルを有する微細パターンを製造しうる。

請求項（抜粋）：

フォトリソグラフィ法によってレジストパターンを形成するためのマスクパターンにおいて、前記マスクパターン間、過露光領域に露光によってレジストパターンを形成させない程度の大きさで追加パターンがさらに具備されたことを特徴とするマスクパターン。

IPC (2件)：

G03F 1/08 , H01L 21/027

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-251253
特開平3-142466
特開平4-251253

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