特許

J-GLOBAL ID：200903038182966552

半導体装置およびその製造方法

発明者： 松崎 一夫
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242268
公開番号（公開出願番号）：特開平7-099307
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1995年04月11日
要約：

【要約】【目的】SIPOS膜からなるフィールドプレートの応力を低減するために酸化膜ではさむ場合、SIPOS膜が多孔質であったり、酸素原子とSi原子の結合がゆるかったりするために起こる不具合を除去する。【構成】SIPOS膜の形成後、表面層を熱酸化して上層の酸化膜を形成すれば、その際SIPOSが緻密となり膜質が均一となる。しかし、この熱酸化工程が基板内の不純物拡散層の深さやゲート酸化膜に影響を及ぼすのを防ぐため、フィールド酸化膜形成直後に、SIPOS膜および両酸化膜の形成を行い、不純物拡散やゲート酸化膜形成はそのあとで行う。

請求項（抜粋）：

半導体基板の表面上に酸化シリコン膜にはさまれた酸素含有多結晶シリコン膜からなる抵抗性フィールドプレートを有するものにおいて、酸素含有多結晶シリコン膜をはさむ両酸化シリコン膜が熱酸化膜であることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73

FI (2件)：

H01L 29/78 321 W ,  H01L 29/72

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 高耐圧半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040682   出願人：株式会社東芝
• 特開昭60-041258
  
• 特開平1-270356