特許

J-GLOBAL ID：200903038185748130

半導体レーザおよびその製造方法

発明者： 萬濃 正也 ,  大仲 清司
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-186023
公開番号（公開出願番号）：特開平7-045903
出願日： 1993年07月28日
公開日（公表日）： 1995年02月14日
要約：

【要約】【目的】 安定な横モードで低電流動作可能な可視光半導体レーザを提供する。【構成】(100)p-GaAs基板104表面上に〔1-10〕方向のストライプ溝を形成する。溝に成長温度が400<Tg<700°Cの条件でp-GaAs層20を気相成長する。GaAs層20表面に〔a11〕基板面(a>1)を現出する。さらにGaAs表面20上に、成長温度(Tg)が600°C<Tgの条件でp型ドーパントと同時にn型ドーパントを添加してAlGaInP層25,26を気相成長する。前記ストライプ溝上で断面V形状とするとともに前記ストライプ溝上のみをp型とする。AlGaInP層表面上にZnSSeクラッド層とするダブルヘテロ構造を結晶成長しストライプ溝上で断面V形状を形成する。ストライプ溝中に電流を集中させることができ、低電流動作が可能となる。

請求項（抜粋）：

<1-10>方向のストライプ溝が形成された(100)GaAs基板と、前記基板上に、該ストライプ溝上で表面が(a11)基板面(a>1)からなるAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>As層(0≦x≦1)と、該ストライプ溝上で断面V形状となるAlGaInP層をクラッド層とするダブルヘテロ構造とを備えたことを特徴とする半導体レーザ。