特許
J-GLOBAL ID：200903038186866099
集積化磁気抵抗センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-258138
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102549
出願日： 1991年10月04日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】組み込み付加回路を直接接続できるようにし、かつ低消費電流を実現する。また、間欠動作に対応する。【構成】磁界が与えられると、強磁性体薄膜で形成されたそれぞれ10kΩ以上の抵抗値を有する4つの磁気抵抗体11〜14をブリッジ状に接続した磁界抵抗素子部10が電圧を出力し、この電圧に応じて、磁気抵抗素子部10の接続点のうち+非反転端子の電位より高く設定されているしきい値レベルを持ちnpnトランジスタ24が取り付けられているコンパレータ21と、ヒステリシスを形成するための1.5MΩ以上の帰還抵抗22を有し、かつ帰還端子34を独立させ出力としてCMOSインターフェイスを有し、さらにCHSプロセスによって形成されている波形整形処理回路部20が電気信号を出力する。間欠動作中においては、CMOSインターフェイスから、前回の出力レベルが帰還端子34に入力され、コンパレータ21にその情報を伝える。
請求項（抜粋）：
少なくとも1つの抵抗値が異なる、強磁性体薄膜で形成された4つの磁気抵抗素子を4つの接続点でブリッジ状に接続し、対向する接続点より出力を取り出す磁気抵抗素子部と、前記磁気抵抗素子部の接続点のうちコンパレータの+非反転端子の電位より高く設定されているしきい値レベルをもつ波形整形処理回路部とを有し、前記磁気抵抗素子部と前記波形整形処理部とを同一チップ状に集積化し、磁界が与えられると前記磁気抵抗素子部が電圧を出力し、前記波形整形処理回路部がこの電圧レベルに応じて、電気信号を出力する磁気抵抗センサにおいて、4つの磁気抵抗素子がそれぞれ10kΩ以上の抵抗値を有し、前記波形整形処理回路部において、ヒステリシスを形成するための1.5MΩ以上の帰還抵抗を有し、かつ帰還端子を独立させ、出力としてCMOSインターフェイスを有し、さらにCHSプロセスによって形成されていることを特徴とする集積化磁気抵抗センサ。
IPC (4件)：
H01L 43/00
, G01D 5/245
, G01R 33/06
, G01B 7/00
