特許
J-GLOBAL ID：200903038189175917
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-337420
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202064
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】良好な放熱性を保ちつつ、基板電位を与える裏面電極を形成することを可能にした半導体装置を提供することである。【構成】半導体装置は半導体チップ11と、半導体チップ11の裏面を導電性接着剤12を介して接合しかつ角部に突起部13aを有する半導体チップ搭載板13と、半導体チップ搭載板13を接着剤14を介して接合する放熱板15と、バンプ16、17を介して半導体チップ11及び半導体搭載板13を接続する導電路形成部材18とを含む。半導体チップ搭載板13は、絶縁性板131と半導体チップ11を接合する側の面を被覆する金属層132とからなり、突起部13aは、半導体チップ11を接合した際に、突起部13aの底面と半導体チップ11の表面との高さが一致するように形成される。
請求項（抜粋）：
基板電位を与えるための裏面電極を有する半導体チップと、上記半導体チップの裏面を接合しかつ少なくとも上記半導体チップと接合する第1の面が金属でありかつ上記第1の面の周辺部分に少なくとも突起部を有する半導体搭載部と、上記半導体搭載部の第2の面に接続される放熱板と、上記半導体チップ及び上記半導体搭載部と接続しかつ表面及び内部に導電路を有する導電路形成部材とを具備する半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 L
, H01L 23/12 J
