静電気放電保護回路の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：杉村暁秀 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-101176
公開番号（公開出願番号）：特開平9-293881
出願日： 1996年04月23日
公開日（公表日）： 1997年11月11日
要約：

【要約】【課題】半導体基板においてオンチップ静電気放電(ESD )保護回路を構成するツェナーダイオード及び横形シリコン制御整流素子を形成するための、従来のCMOS製造処理に適合した製造方法を提供する。【解決手段】ツェナーダイオードはp形不純物をドープされた領域42及びn形不純物をドープされた領域39からなり、それらの領域は不純物をドープされたポリシリコン層から不純物を深く拡散されることにより形成され、一方の領域は2つの隣接したウエル領域31、32間に配置されている。ESD 事象の間、横形SCR 装置のトリガ電圧を約5〜7ボルトの範囲内に減少させるためにツェナーダイオードは降伏を生じ、それによって、保護すべき内部回路が損傷する前にESD 電流が放電される。

請求項（抜粋）：

シリコン制御整流素子とツェナーダイオードとで構成される静電気放電保護回路の製造方法において、(a)半導体基板を用意するステップと、(b)前記基板内に第1導電形の第1ウエル領域及び第2導電形の第2ウエル領域を形成ステップであって、前記第1ウエル領域及び第2ウエル領域は両者の間に接合を有する当該ステップと、(c)前記接合の上部に、少なくとも前記第1及び第2ウエル領域の上に重なる部分を有する、第1導電形の不純物をドープされたポリシリコン層を形成するステップと、(d)前記ポリシリコン層からの第1導電形の不純物を前記基板の中まで深く拡散することにより前記第1及び第2ウエル領域間にまたがる前記第1導電形の不純物をドープされた領域を形成するステップと、(e)前記ツェナーダイオードを形成するために前記第1導電形の不純物をドープされた領域の近くの前記第2ウエル領域内に前記第2導電形の不純物をドープされた領域を形成するステップと、(f)前記第1及び第2ウエル領域の一方に前記シリコン制御整流素子の陽極を形成するとともに、前記第1及び第2ウエル領域の他方に前記シリコン制御整流素子の陰極を形成するステップと、からなることを特徴とする静電気放電保護回路の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/861 , H01L 27/06 , H01L 29/74 , H01L 21/332

FI (4件)：

H01L 29/90 Z , H01L 27/06 101 P , H01L 29/74 G , H01L 29/74 301

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