特許

J-GLOBAL ID：200903038198017097

シリコンウエハーの処理方法

発明者： 富松 康浩 ,  川添 浩 ,  川邊 一郎
出願人/特許権者： 濱田重工株式会社
代理人 (1件)： 中前 富士男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-045202
公開番号（公開出願番号）：特開2000-243801
出願日： 1999年02月23日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
要約：

【要約】【課題】 再生後の薄くなったモニターウエハーの厚さを復元し、更に使用可能な表面性状を確保して、再使用回数を飛躍的に増やすことが可能なシリコンウエハーの処理方法を提供する。【解決手段】 使用済のシリコンウエハー10の表面膜30・金属汚染物質を除去・洗浄した後、シリコンウエハー10の片面に、エピタキシャルシリコン膜40を形成して増厚し、しかる後、何れか一方の面を研磨し、更に洗浄して、モニター用のシリコンウエハー50に再生する。

請求項（抜粋）：

使用済のシリコンウエハーの表面の酸化膜・チッ化膜・ポリシリコン膜・金属膜等の表面膜及び金属汚染物質を除去した後、前記シリコンウエハーの片面にエピタキシャルシリコン膜を形成して増厚し、しかる後、何れか一方の面を研磨し、更に洗浄して、モニター用のシリコンウエハーに再生することを特徴とするシリコンウエハーの処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/66 Y ,  H01L 21/02 B ,  H01L 21/306 B

Fターム (23件)：

4M106AA01 ,  4M106AA10 ,  4M106AA11 ,  4M106AA12 ,  4M106CA38 ,  4M106CA48 ,  4M106DH53 ,  4M106DH55 ,  4M106DH57 ,  4M106DJ32 ,  4M106DJ38 ,  5F043AA02 ,  5F043AA20 ,  5F043AA22 ,  5F043AA27 ,  5F043AA29 ,  5F043BB01 ,  5F043BB22 ,  5F043BB27 ,  5F043DD02 ,  5F043DD30 ,  5F043FF07 ,  5F043GG10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体ウエハの製造方法、使用方法および利用方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-334544   出願人：キヤノン株式会社