特許

J-GLOBAL ID：200903038198485929

シリコン単結晶の製造方法

発明者： 江阪 久雄 ,  田中 正博 ,  沢田 郁夫 ,  小島 清
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社 ,  ニツテツ電子株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-236630
公開番号（公開出願番号）：特開平5-070279
出願日： 1991年09月17日
公開日（公表日）： 1993年03月23日
要約：

【要約】【目的】 ガスガイドを用いたシリコン単結晶引上げ装置によるシリコン単結晶の製造において、得られるシリコン単結晶の長手方向の酸素濃度を均一にする方法を得る。【構成】 シリコン単結晶引上げ炉内のガスガイドとシリコン融液との間を流れる不活性ガスの流速を、炉内圧力の変更、不活性ガス流量の変更等により結晶の引上げと共に一定割合で上昇させる。

請求項（抜粋）：

ガスガイドを用いたシリコン単結晶引上装置によるシリコン単結晶の製造において、該ガスガイドとシリコン融液との間を流れる不活性ガスの該シリコン融液表面近傍の流速を、前記シリコン単結晶引上げ初期の流速に対して引上げ末期の流速が2〜20倍となるように順次増大するように、不活性ガスの流速を調節しながら引上げることを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  C30B 29/06 502

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-122089