特許

J-GLOBAL ID：200903038200012456

半導体装置及びその製造方法

発明者： 川島 淳志 ,  福田 誠一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-018745
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223439
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
要約：

【要約】【課題】 薬液洗浄によりゲート電極に用いる高融点金属を腐食させずに半導体装置を製造する。【解決手段】 ゲート酸化膜2上に、ポリシリコン膜3、窒化タングステン膜4、タングステン膜5を順次成膜した後、エッチングしてゲート電極を形成する。続いて、タングステン膜5を腐食させる溶液による洗浄工程の前に、形成したタングステン膜5の側壁を窒化させて、窒化保護膜5aを形成する。

請求項（抜粋）：

側壁が窒化された高融点金属膜を含むゲート電極を備える半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (2件)：

H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/28 K

Fターム (24件)：

4M104BB01 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB33 ,  4M104DD04 ,  4M104DD06 ,  4M104DD09 ,  4M104DD44 ,  4M104DD65 ,  4M104DD67 ,  4M104DD72 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104DD89 ,  4M104DD91 ,  4M104EE03 ,  4M104EE17 ,  4M104FF13 ,  4M104FF18 ,  4M104GG14 ,  4M104HH16