特許
J-GLOBAL ID：200903038201937402
磁気抵抗効果膜、それを用いたメモリー素子、及びこれらの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
國分 孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102744
公開番号（公開出願番号）：特開平10-283618
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月23日
要約：
【要約】【課題】 大きさや分布が一様且つ制御可能な微小の磁気抵抗多層膜を備えてなる磁気抵抗効果膜、それを用いたメモリー素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】 多孔質アルマイト膜(金属アルミニウム基板)11の微細孔13中に、強磁性層と非磁性層とが交互に積層した構造を有する磁気抵抗多層膜16が充填されて磁気抵抗効果膜が構成され、更にその上部に情報読み出し用電気導線23と情報記録用電気導線22とが設けられてメモリー素子が構成される。
請求項（抜粋）：
アルミニウムあるいはアルミニウム合金表面上に形成された多孔質アルマイト膜の微細孔中に磁気抵抗多層膜が充填され、且つ前記磁気抵抗多層膜が厚さ5Å〜100Åの強磁性層と、厚さ5Å〜300Åの非磁性層とが交互に積層した構造を有していることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (4件)：
G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01L 43/08
G11B 5/39
, G11C 11/15
, H01F 10/26
, H01L 43/08 Z
