特許
J-GLOBAL ID：200903038207355421
多層配線基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-234476
公開番号（公開出願番号）：特開平6-085464
出願日： 1992年09月02日
公開日（公表日）： 1994年03月25日
要約：
【要約】【目的】絶縁膜形成工程を簡略化することにより、量産性に優れた薄膜多層配線基板の製造方法を提供する。【構成】ベース基板上の配線導体上面に金型を固定し、配線導体間隙を脱気した後、無溶剤の流動性高分子前駆体をトランスファー成形方式で配線導体間隙に充填し、静水圧をかけながら、硬化する工程を繰り返して多層配線基板を製造する。【効果】平坦でボイドやピンホールのない物性の均一な絶縁膜で配線導体間隙を一度に絶縁するので、多層配線基板の製造に係る工程数が減り、リードタイムも減少して、量産性が向上する。
請求項（抜粋）：
ベース基板上に1層あるいは2層の水平配線導体あるいは/および垂直ビア導体を形成する工程と、該導体上に表面が平坦な金型を固定し、該ベース基板と該金型に挾まれた導体間隙を無溶剤の流動性高分子前駆体で充填、硬化する工程と、該流動性高分子前駆体硬化物で覆われた導体の上面を露出させる工程とを含み、上記工程を1回以上繰り返して多層化することを特徴とする多層配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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