特許

J-GLOBAL ID：200903038208773871

成膜方法および成膜装置

発明者： 森嶋 雅人 ,  成嶋 健索
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (1件)： 高山 宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-241836
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059861
出願日： 2001年08月09日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 CoSi2膜にダメージを生じさせることなく有効にCoSi2膜上の自然酸化膜を除去することができ、CoSi2膜上に良好な特性を有する金属膜、特にCVD-Ti膜を成膜することができる成膜方法および成膜装置を提供すること。【解決手段】 自然酸化膜除去装置8において、CoSi2膜が形成された基板WのCoSi2膜上の自然酸化膜を、励起されたガスにより除去し、次いで、基板Wを搬送室1で大気暴露することなく基板WをTi成膜装置6に搬送し、そこでCVDによりCoSi2膜上にTi膜を形成する。

請求項（抜粋）：

CoSi2膜が形成された基板のCoSi2膜上の自然酸化膜を、励起されたガスにより除去する第1工程と、次いで、前記基板を大気暴露することなく前記CoSi2膜上に金属膜を形成する第2工程とを具備することを特徴とする成膜方法。

IPC (6件)：

H01L 21/28 301 ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/28 301 S ,  C23C 16/02 ,  C23C 16/14 ,  H01L 21/90 C ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/302 N

Fターム (57件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA16 ,  4K030AA17 ,  4K030BA01 ,  4K030BA18 ,  4K030CA04 ,  4K030DA03 ,  4K030LA15 ,  4M104AA01 ,  4M104BB14 ,  4M104BB20 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD23 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD84 ,  4M104FF18 ,  4M104FF22 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20 ,  5F004AA14 ,  5F004BD04 ,  5F004DA17 ,  5F004DB13 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F004FA07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH33 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ08 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ33 ,  5F033KK25 ,  5F033MM08 ,  5F033MM13 ,  5F033NN06 ,  5F033NN07 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ70 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ94 ,  5F033QQ98 ,  5F033XX00 ,  5F033XX09 ,  5F033XX18 ,  5F033XX20