特許

J-GLOBAL ID：200903038209853275

SAWデバイスおよびその製造法

発明者： 高山 了一 ,  倉増 敬三郎 ,  須川 俊夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-174695
公開番号（公開出願番号）：特開平10-022764
出願日： 1996年07月04日
公開日（公表日）： 1998年01月23日
要約：

【要約】【課題】 大電力印加に耐え得るIDT電極を用いたSAWデバイスを提供することを目的とする。【解決手段】 圧電体基板1の表面に、アルミニウムに対し常温においてアルミニウムの粒塊の中に固溶し固溶体を形成する添加物Aおよび、常温においてアルミニウムの粒界に析出もしくはアルミニウムの粒界においてアルミニウムと金属間化合物を形成する添加物Bの二種類の添加物をアルミニウムの中に同時に添加した3元系以上からなるアルミニウム合金からなるIDT電極2を形成することにより高い耐電力性が得られる。

請求項（抜粋）：

圧電体基板と前記圧電体基板上に設けたインターディジタルトランスデューサー電極(以下IDT電極)を有する表面弾性波デバイスにおいて、前記IDT電極としてアルミニウムに対し常温においてアルミニウムの粒塊の中に固溶し固溶体を形成する添加物Aと、常温においてアルミニウムの粒界に析出もしくはアルミニウムの粒界においてアルミニウムと金属間化合物を形成する添加物Bの二種類の添加物をアルミニウムの中に同時に添加した3元系以上のアルミニウム合金からなるSAWデバイス。

IPC (4件)：

H03H 3/08 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/22 ,  H03H 9/145

FI (4件)：

H03H 3/08 ,  H03H 9/145 C ,  H01L 41/08 C ,  H01L 41/22 Z