特許

J-GLOBAL ID：200903038215828509

SiO2被膜の形成方法

発明者： 佐藤 功 ,  萩原 嘉男
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-120685
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313002
出願日： 1997年05月12日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：

【要約】【課題】 クラック限界の高いSiO2被膜を、塗布法によりソース層及びドレイン層の過度の拡散が起こらないように効率よく形成させる方法を提供する。【解決手段】 基板上に500°C以上の融点をもつ材料から成る配線層を設け、次いでその上にトリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を塗布、乾燥したのち、550〜800°Cの範囲の温度で、塗膜中にSi-H結合が認められなくなるまで焼成することにより、SiO2被膜を形成させる。

請求項（抜粋）：

基板上に500°C以上の融点をもつ材料から成る配線層を設け、次いでその上にトリアルコキシシランの酸加水分解生成物を含有する有機溶剤溶液からなる塗布液を塗布、乾燥したのち、550〜800°Cの範囲の温度で、塗膜中にSi-H結合が認められなくなるまで焼成することを特徴とするSiO2被膜の形成方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (2件)：

H01L 21/316 G ,  H01L 21/90 K