特許
J-GLOBAL ID:200903038216581566

位相シフトマスクの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山川 政樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-083500
公開番号(公開出願番号):特開平8-279452
出願日: 1995年03月16日
公開日(公表日): 1996年10月22日
要約:
【要約】【目的】 隣接するサイドローブの重なりにより発生される光強度の大きい新たなサイドローブを取り除き、さらに、不要な異常パターンの発生を防ぐことのできるハーフトーン位相マスクの製造方法を提供する。【構成】 本発明のハーフトーン位相シフトマスクの製造方法は、基板上に所望のパターンに相当する少なくとも一つ以上のオープン領域を有するハーフトーンパターン物質層を形成するステップと、前記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射するとき、光のサイドローブが重なって光強度の大きい新たなサイドローブが生成される前記ハーフトーンパターン物質層の該当部分にその新たなサイドローブを取り除くためのダミーオープン領域を形成するステップとを備える。
請求項(抜粋):
基板上に所望のパターンに相当する少なくとも一つ以上のオープン領域を有するハーフトーンパターン物質層を形成するステップと、前記基板とハーフトーンパターン物質層に光を照射した場合に、ハーフトーンパターン物質層に光のサイドローブが重なって光強度の大きい新たなサイドローブが生成される部分を見出すステップと、そして光強度の大きい新たなサイドローブが生成される前記ハーフトーンパターン物質層の該当部分に該新たなサイドローブを取り除くためのダミーオープン領域を形成するステップと、を備えることを特徴とするハーフトーン位相シフトマスクの製造方法。
IPC (2件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/08
FI (3件):
H01L 21/30 528 ,  G03F 1/08 A ,  H01L 21/30 502 P

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