特許

J-GLOBAL ID：200903038223585348

半導体装置

発明者： 飯野 和宏
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061623
公開番号（公開出願番号）：特開平6-204288
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1994年07月22日
要約：

【要約】【構成】シリコン基板1にアルミニウム小型パッド2b、低い半田バンプ7aおよび大型パッド2c、高い半田バンプ7bが表面保護膜3を介して形成されて半導体チップSを構成している。実装用の両面プリント基板Pは、ポリイミド製の絶縁基板8に半田レジスト10に覆われて、半導体チップSの小型バンプ7aに接続する表面配線9aが形成されている。さらに開口Hに突き出して、半導体チップSの大型バンプ7bに接続する裏面配線9bが形成されている。【効果】開口を通して半導体チップの位置合わせおよび両面プリント基板の表裏の銅箔配線との接続が可能になる。両面プリント基板の表面配線は、半導体チップ内の回路素子を通して裏面配線と接続することができる。両面プリント基板にスルーホールを設けて導通配線を行なうよりも、高密度配線が可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体チップの一主面の外周に小さい第1の半田バンプ群が形成され、前記第1の半田バンプ群の内周に大きい第2の半田バンプ群が形成され、前記半導体チップ実装用の両面プリント基板に第2の半田バンプ群を見通す開口が形成され、前記両面プリント基板の表面の前記開口の周囲に前記第1の半田バンプ群に接続する電極配線が形成され、前記両面プリント基板の裏面から前記開口に延長して、前記第2の半田バンプ減に接続する電極配線が形成された半導体装置。