特許

J-GLOBAL ID：200903038223703812

窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子

発明者： 木戸口 勲 ,  足立 秀人 ,  田中 清武 ,  熊渕 康仁
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-089215
公開番号（公開出願番号）：特開平9-194204
出願日： 1996年04月11日
公開日（公表日）： 1997年07月29日
要約：

【要約】【課題】 低温で高純度の窒化アルミニウム膜を製造する方法を提供する。【解決手段】 ECR装置に、5Nの金属Al104をセットし、窒素ガス109を導入しながら、ECRプラズマを起こす。このときの温度は200°Cである。ECRプラズマにより、AlとNがGaAs基板に成長していき、AlN膜107を製造できる。このようにECRプラズマを用いたAlN膜の製造方法により、高純度の金属Alを用いているので、当然高純度のAlN膜を成長でき、MOVPE法のように高温での成長を必要とせずに、膜の製造が可能となる。

請求項（抜粋）：

金属Alと窒素ガスを用い、ECRプラズマによりAlN膜を製造する窒化アルミニウムの製造方法。

IPC (3件)：

C01B 21/072 ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

C01B 21/072 A ,  H01S 3/18 ,  H01L 21/318 B