特許
J-GLOBAL ID：200903038227164410
静電潜像担持体
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-216339
公開番号（公開出願番号）：特開平6-035275
出願日： 1992年07月21日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 この発明は、高速プロセスにおける帯電能力を向上させ、地肌かぶり現象を低減できる静電潜像担持体を提供することを目的にする。【構成】 この発明の静電潜像担持体は、透明支持体11上に形成された透明電極12と、この透明電極12上に形成された一導電型のアモルファスシリコンカーバイトからなる阻止層13と、この阻止層13上に形成されたi型のアモルファスシリコンからなる光導電層14と、この光導電層14上に形成された他導電型のアモルファスシリコンカーバイトからなる第1表面層15と、この第1表面層15上に形成されたアモルファスカーボンからなる第2表面層16と、を備え、第2表面層16の外表面に接触させた磁気ブラシにて電荷の注入が行われることにより帯電せしめられ、透明支持体11側から入射した光にて静電潜像を形成することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
透明支持体上に形成された透明電極上に形成された一導電型のアモルファスシリコンを主成分とした半導体層からなる阻止層と、この阻止層上に形成されたi型のアモルファスシリコンを主成分とした半導体からなる光導電層と、この光導電層上に形成された他導電型のアモルファスシリコンを主成分とした半導体層からなる第1の表面層と、この第1の表面層上に形成されたアモルファスカーボンからなる第2の表面層と、を備え、前記第2の表面層の外表面に接触させた磁気ブラシにて電荷の注入が行われることにより帯電せしめられ、前記透明支持体側から入射した光にて静電潜像を形成する静電潜像担持体。
IPC (3件)：
G03G 15/00 118
, G03G 5/08 303
, G03G 5/08 306
