特許

J-GLOBAL ID：200903038232286329

トレンチ・セル・キャパシタ

発明者： ヨハン・アルスマイナー ,  ジャック・アラン・マンデルマン ,  ジェームズ・アンソニー・オネイル ,  クリストファー・パークス ,  ポール・クリスチャン・パリーズ
出願人/特許権者： インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション ,  シーメンス・アクチエンゲゼルシャフト
代理人 (1件)： 坂口 博 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-194247
公開番号（公開出願番号）：特開平10-074910
出願日： 1997年07月18日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 基板内の反転層をキャパシタ用のプレート対電極として使用することにより高キャパシタンスを達成する集積回路キャパシタを提供する。【解決手段】 この反転層は、軽度ドープ基板内にトレンチ・キャパシタを形成することによって作成される。記憶ノード材と分離バンドとの十分な仕事関数差により、軽度ドープ基板の表面が反転し、反転電荷が分離バンドによって供給される。この反転層は、キャパシタ用のプレート対電極として機能する。

請求項（抜粋）：

a)軽度ドープ基板と、b)前記基板内に延びる深型トレンチ記憶ノードと、c)前記深型トレンチ記憶ノードと前記基板との間の誘電体と、d)前記基板内の反転領域を含む対電極とを含むことを特徴とする、集積回路キャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/10 625 A ,  H01L 27/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• メモリセルアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167475   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド

審査官引用 (1件)

• メモリセルアレイ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-167475   出願人：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド