特許
J-GLOBAL ID：200903038235198897
モノリシック共振回路の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-118877
公開番号（公開出願番号）：特開平6-334413
出願日： 1993年05月21日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：
【要約】【目的】従来、単体で形成されていたモノリシック共振回路を、発振器,フィルタ等のモノリシックマイクロ波回路と一体化して構成し、且つ、動作周波数の調整を容易に実現できる。【構成】マイクロ波回路を形成した半絶縁性GaAs基板1の表面にSiO2 膜を形成し、このSiO2 膜2の上に所定の特性インピーダンスを有する伝送線路6を形成した後、伝送線路6の近傍のSiO2 膜2に円形の凹部7を設け、誘電体共振器9を嵌め込むことにより小型化と誘電体共振器9の交換を容易にする。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板の表面に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の表面にリフトオフ法により所定の特性インピーダンスを有する伝送線路を形成する工程と、前記伝送線路の少くとも片側近傍の前記絶縁膜を選択的にエッチングして所定の直径を有する円形の凹部を形成する工程と、前記凹部に円柱形の誘電体共振器の底部を嵌め込んで固定する工程とを含むことを特徴とするモノリシック共振回路の製造方法。
IPC (2件)：
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