特許

J-GLOBAL ID：200903038240885088

集積されたCMOS容量型圧力センサ

発明者： ゴーゴイ、ビシュヌ ピー. ,  モンク、ディビッド ジェイ. ,  オードル、ディビッド ダブリュ. ,  ノイマン、ケビン ディ. ,  ヒューズ、ドナルド エル.ジュニア ,  シュミーシング、ジョン イー. ,  マクニール、アンドリュー シー. ,  オーガスト、リチャード ジェイ.
出願人/特許権者： モトローラ・インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-549926
公開番号（公開出願番号）：特表2004-526299
出願日： 2001年11月19日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

容量型圧力センサ(10)は、同一の半導体基板(11)上で能動素子のゲート(56, 57)を形成するのと同時に形成されたダイアフラム(38)を使用する。

請求項（抜粋）：

集積されたCMOS圧力センサを形成する方法であって、 センサ領域およびCMOS領域を有する第一の導電型の半導体基板を形成する工程と、 センサの固定電極の上に載っているセンサダイアフラムを形成する工程と、 続いて、センサダイアフラムをアニールする前に、半導体基板のCMOS領域内にて半導体基板の表面内にCMOSトランジスタのソース・ドレイン領域を形成する工程と、 センサダイフラムおよびソース・ドレイン領域をアニールする工程と、 からなる方法。

IPC (4件)：

H01L29/84 ,  G01L9/00 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06

FI (3件)：

H01L29/84 Z ,  G01L9/00 305B ,  H01L27/06 102A

Fターム (36件)：

2F055AA40 ,  2F055BB20 ,  2F055CC02 ,  2F055DD05 ,  2F055EE25 ,  2F055FF11 ,  2F055GG03 ,  2F055GG11 ,  2F055GG31 ,  4M112AA01 ,  4M112BA07 ,  4M112CA01 ,  4M112CA03 ,  4M112DA03 ,  4M112DA04 ,  4M112DA10 ,  4M112DA11 ,  4M112DA14 ,  4M112EA03 ,  4M112EA06 ,  4M112EA07 ,  4M112FA20 ,  5F048AB01 ,  5F048AB10 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BD04 ,  5F048BE03 ,  5F048BE04 ,  5F048BF03 ,  5F048BF12 ,  5F048BF16 ,  5F048BG12 ,  5F048BH07

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 回路内蔵型センサおよびそれを用いた圧力検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-030934   出願人：株式会社日立製作所, 株式会社日立カーエンジニアリング