特許

J-GLOBAL ID：200903038241474790

フラッシュ・メモリ

発明者： 川嶋 博美 ,  山下 実
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-006756
公開番号（公開出願番号）：特開平5-198188
出願日： 1992年01月17日
公開日（公表日）： 1993年08月06日
要約：

【要約】【目的】消去ブロックの単位を可変できるようにして利便性を高める。【構成】消去ブロック単位記憶手段31と、ソースアドレス変換手段32とを設け、消去ブロックを選択するために外部から供給されるソースアドレスをソースアドレス変換手段32によって消去ブロック単位記憶手段31が記憶する消去ブロックの単位に従った内部ソースアドレスに変換する。

請求項（抜粋）：

消去ブロックの単位を記憶する書換え可能な消去ブロック単位記憶手段を設けると共に、消去ブロックを選択するために外部から供給されるソースアドレスを前記消去ブロック単位記憶手段が記憶する消去ブロックの単位に従った内部ソースアドレスに変換するソースアドレス変換手段とを設けて構成されていることを特徴とするフラッシュ・メモリ。

IPC (2件)：

G11C 16/06 ,  G11C 11/41

FI (2件)：

G11C 17/00 309 C ,  G11C 11/34 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-011398
  
• 特開平1-298600
  
• 特開平2-116084