プラズマ処理装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鴨田朝雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-169056
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077139
出願日： 1981年11月30日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】複数の被膜の積層形成のために共通室に対し並列に配置された複数のプラズマ反応炉を有する形式のプラズマ処理装置において、共通室を介して反応性気体が混入することを防止する。【構成】複数の被膜の積層形成のために共通室に対し並列に配置された複数のプラズマ反応炉を有する形式のプラズマ処理装置において、共通室の真空度が反応炉の真空度より高くなるように真空度制御を行う。

請求項（抜粋）：

減圧可能な共通室と、被膜の積層形成に対応して該共通室に対し並列に配置され、該共通室に各々ゲート弁手段を介して気密連結された複数のプラズマ反応炉と、前記複数のプラズマ反応炉のそれぞれに対し前記共通室内の基板を搬入搬出する手段と、前記複数のプラズマ反応炉のそれぞれにて被膜を形成する手段と、前記基板上に前記複数の被膜を順次積層形成するために、前記共通室内で基板を前記複数のプラズマ反応炉に沿って一方向に移動し、前記搬入搬出手段の一つから他へ基板を移送する機構を有し、前記共通室内の真空度が前記複数のプラズマ反応炉内の真空度より高くなるように構成されたことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , H01L 31/04 , H01L 31/10

FI (2件)：

H01L 31/04 T , H01L 31/10 A

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