特許
J-GLOBAL ID：200903038248546002
LSI配線膜およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 敏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068172
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283524
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置における配線膜(アルミニウムあるいはその合金など)の構造と製法に関するもので、その形状を改善して、配線剥離、オーバーエッチによる断線、ストレスマイグレーション(SM)寿命の問題を解消し、ひいては集積度を向上を図ることを目的とする。【構成】 本発明は、前記配線膜3の構造を、その製造時におけるエッチング条件により、中細り(糸巻き形状、本要約書ではこちら)か中太り(ビア樽形状)の形状にしたものである。
請求項（抜粋）：
LSIにおける半導体基板上に設けられた配線膜の断面形状として、該配線膜の上部および下部の幅が、中間部の幅より大きいことを特徴とするLSI配線膜。
IPC (2件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/302
