特許

J-GLOBAL ID：200903038248703116

金属含有エピスルフィド化合物およびその製造方法

発明者： 大久保 毅 ,  姜 健
出願人/特許権者： ホーヤ株式会社
代理人 (1件)： 大谷 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-112530
公開番号（公開出願番号）：特開2001-294592
出願日： 2000年04月13日
公開日（公表日）： 2001年10月23日
要約：

【要約】【課題】 屈折率及びアッベ数の高い光学材料の原料として有用な金属含有エピスルフィド化合物、及びそれを効率よく製造する方法を提供すること。【解決手段】 一般式 (1)【化1】(MはSi、Ge、SnまたはTi、xは1〜4の整数、yは1または2)で表される金属含有エピスルフィド化合物、一般式MZ4 (Mは上記と同じ、Zはハロゲン原子)で表される四ハロゲン化金属と2:3 -エピチオメルカプトプロパンを反応させる、一般式(1-a)【化2】(Mは上記と同じ)で表される金属含有エピスルフィド化合物の製造方法、および上記四ハロゲン化金属のクロロメチル化体またはビニル置換体と2:3 -エピチオメルカプトプロパンを反応させる、一般式(1) (ただし、xは1〜3の整数、yは1または2)で表される金属含有エピスルフィド化合物の製造方法である。

請求項（抜粋）：

一般式 (1)【化1】(式中、Mはケイ素、ゲルマニウム、スズまたはチタンを示し、xは1〜4の整数を示し、yは1または2を示す。)で表される金属含有エピスルフィド化合物。

IPC (5件)：

C07F 7/08 ,  C07F 7/22 ,  C07F 7/28 ,  C07F 7/30 ,  G02B 1/04

FI (5件)：

C07F 7/08 R ,  C07F 7/22 S ,  C07F 7/28 E ,  C07F 7/30 F ,  G02B 1/04

Fターム (17件)：

4H049VN01 ,  4H049VN02 ,  4H049VN03 ,  4H049VN05 ,  4H049VP01 ,  4H049VQ61 ,  4H049VR21 ,  4H049VR22 ,  4H049VR23 ,  4H049VR61 ,  4H049VR62 ,  4H049VR63 ,  4H049VR64 ,  4H049VS09 ,  4H049VT51 ,  4H049VU20 ,  4H049VW02