特許
J-GLOBAL ID：200903038250838266
半導体基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-042707
公開番号（公開出願番号）：特開平7-249573
出願日： 1994年03月14日
公開日（公表日）： 1995年09月26日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板上に化合物半導体層を成長させてなる基板を、半導体基板の特性を変えることなく有効に平坦化しうる方法を提供する。【構成】 あらかじめSi基板1を、このSi基板上にGaAs層を成長させたときの基板の反り量に相当する量bだけ凸状または凹状に加工しておき、その上にGaAs層7を成長させる。
請求項（抜粋）：
半導体基板を凸状または凹状に加工する第1工程と、前記半導体基板の表面上に当該半導体基板と異なる種類の化合物半導体層を成長させる第2工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/20
, H01L 21/205
, H01L 21/304 321
