特許
J-GLOBAL ID：200903038251103740
露光マスク
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-052408
公開番号（公開出願番号）：特開平8-044040
出願日： 1995年03月13日
公開日（公表日）： 1996年02月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子のリソグラフィー工程に用いられる露光マスクに関し、詳しくは半導体基板上部にトポロジーを有する下部パターン上部にさらに他のパターンを形成するため、感光膜パターンを形成する露光工程で下部パターンにより上部層の傾斜面で光が乱反射し感光膜が一部除去されるネッキング(necking )現象が発生されないようにするものである。【構成】 透明基板上部に光遮断膜パターン(1)等が一定間隔離隔させ露光マスクを備えるが、該露光マスクを用いて感光膜パターンを形成する際、下部パターンのトポロジーにより感光膜パターンの一定部分が除去されるネッキング現象の発生位置(30)に、光遮断膜パターン(1)と光遮断膜パターン(1)の間に補助パターン(15)を露光マスクに備えるものであり、半導体基板上部に下部のトポロジーに係わりなく正確な線幅を有する感光膜パターンを形成することができる。
請求項（抜粋）：
露光マスクにおいて、透明基板上部に光遮断膜パターン等が一定間隔離隔させ露光マスクを備えるが、該露光マスクを用いて感光膜パターンを形成する際、下部パターンのトポロジーにより感光膜パターンの一定部分が除去されるネッキング現象の発生位置に、光遮断膜パターンと光遮断膜パターンの間に補助パターンとを備えることを特徴とする露光マスク。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
