特許

J-GLOBAL ID：200903038252155999

半導体装置及びその製造方法

発明者： 瀬川 瑞樹 ,  加藤 義明 ,  中岡 弘明
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-153158
公開番号（公開出願番号）：特開平6-077478
出願日： 1993年06月24日
公開日（公表日）： 1994年03月18日
要約：

【要約】【目的】 高融点金属シリサイド膜と絶縁膜との密着性を改良した半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 シリコン基板本体1の上に、ゲート絶縁膜2等を介して高融点金属シリサイド膜4を形成し、高融点金属シリサイド膜4の上に、化学量論的組成式に基づくシリコン含有率よりも高いシリコン含有率を有するSiリッチ型絶縁膜例えばSiリッチ型シリコン酸化膜7等を堆積する。これにより、電極の不純物濃度を減少させることなく、膜剥がれのない、かつ低抵抗の電極配線を有する高性能の半導体装置を製造できる。さらに、Siリッチ型シリコン酸化膜7の上に化学量論的組成式の組成に近い保護用シリコン酸化膜9を形成すると、外部からの不純物の侵入に起因する電極内部やゲート酸化膜等の劣化を防止することができる。シリコン酸化膜だけでなくシリコン窒化膜等にも適用できる。

請求項（抜粋）：

半導体基板の上方に形成され、タングステン,モリブデン,チタン等の高融点金属とシリコンとの化合物からなる高融点金属シリサイド膜と、上記高融点金属シリサイド膜の上に形成され、シリコン元素と他の元素との化合物からなり、シリコン元素の含有率が当該化合物の化学量論的組成式に基づく含有率よりも高いSiリッチ型絶縁膜とを備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 27/092

FI (3件)：

H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/88 R ,  H01L 27/08 321 D