特許
J-GLOBAL ID：200903038252351330
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339247
公開番号（公開出願番号）：特開平5-175190
出願日： 1991年12月24日
公開日（公表日）： 1993年07月13日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板1上に、シリコン酸化膜2及びシリコン窒化膜3を堆積後、パターニングし、素子分離領域上のシリコン窒化膜3を除去する。その後、フィールド反転防止のためのボロンのイオン注入及び酸素又はシリコンのイオン注入を行う。その後、ロコス酸化を行い、フィールド酸化膜5を形成し、シリコン窒化膜3を除去する。【効果】 バーズビークによる素子分離領域のシフトやバーズビーク段差等を抑制し、フィールド酸化膜の微細化、平坦化を可能にする。
請求項（抜粋）：
半導体基板上にシリコン酸化膜及びシリコン窒化膜を形成した後、パターニングし、素子分離領域上の上記シリコン窒化膜を除去する工程と、フィールド反転防止のためのイオン注入と酸素又はシリコンのイオン注入とを行う工程と、該工程後、フィールド酸化膜を形成する工程とを有することを特徴とする、半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
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