特許

J-GLOBAL ID：200903038259357775

半導体記憶装置の製造方法

発明者： 日比 紀孝 ,  中田 義朗
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-191830
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037278
出願日： 1992年07月20日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：

【要約】【目的】 半導体記憶装置の電荷蓄積電極材料上に欠陥の存在する耐酸化性の乏しい絶縁膜を形成し、これを酸化することにより電極表面部分に凹凸をつけ、電荷蓄積領域の面積を増大させる。【構成】 単結晶あるいは多結晶シリコン4にイオン注入5を施し、表面を非晶質化する。CVD法によりシリコン窒化膜7を4nm堆積する。酸化性の無い雰囲気中で熱処理を行ない、単結晶あるいは多結晶シリコン4を再結晶化することによりシリコン窒化膜に応力を加え、シリコン窒化膜7に欠陥を生成させる。酸化性を有する雰囲気中で熱処理を行ない、シリコン窒化膜8を酸化する。その結果局所的に膜厚が異なり、単結晶あるいは多結晶シリコンとの界面が褶曲したシリコン酸化膜9が生成する。このシリコン酸化膜9を選択的に除去する。【効果】 単結晶あるいは多結晶シリコンの表面が滑らかな凹凸形状をなし、電荷蓄積電極表面積が増し、電荷蓄積容量が増大する。また容量絶縁膜の信頼性が向上する。

請求項（抜粋）：

電荷蓄積電極と、プレート電極と、容量絶縁膜からなるキャパシタを有する半導体記憶装置において、前記電荷蓄積電極となる半導体材料上に堆積した耐酸化性の乏しい膜を酸化することにより、前記電荷蓄積電極表面に凹凸形状を設け、電荷蓄積領域面積を拡大することを特徴とする半導体記憶装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 27/108 ,  G11C 11/403 ,  H01L 21/265 ,  H01L 27/04

FI (3件)：

H01L 27/10 325 M ,  G11C 11/34 352 ,  H01L 21/265 W