特許
J-GLOBAL ID:200903038259613097
積層導電膜、電気光学表示装置及びその製造方法
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
家入 健
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2007-282687
公開番号(公開出願番号):特開2009-111201
出願日: 2007年10月31日
公開日(公表日): 2009年05月21日
要約:
【課題】ITO等の酸化物透明導電膜の上に直接、光反射率が高いAl系合金膜を成膜した欠陥のない積層導電膜を提供すること。【解決手段】本発明の一態様に係る積層導電膜は、光透過性を有する透明導電膜と、前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも1種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるAl又はAlを主成分とするメタル導電膜とを有する。また、メタル導電膜は、透明導電膜との界面近傍にさらに周期律の8族元素のFe、Co、Ni、4b族元素のC、Si、Geから選ばれる少なくとも1種類以上の原子を含む。【選択図】図4
請求項(抜粋):
光透過性を有する透明導電膜と、
前記透明導電膜上に直接積層して形成され、前記透明導電膜との界面近傍に窒素原子、酸素原子の少なくとも1種類以上を含むことにより、前記透明導電膜に電気的に接続されるAl又はAlを主成分とするメタル導電膜と、
を有する積層導電膜。
IPC (6件):
H01L 21/320
, H01L 23/52
, G02F 1/133
, G02F 1/134
, G02F 1/136
, H01L 29/786
FI (8件):
H01L21/88 R
, G02F1/1335 520
, G02F1/1343
, G02F1/1368
, H01L21/88 N
, H01L29/78 612C
, H01L29/78 616U
, H01L29/78 616V
Fターム (79件):
2H091FA16Y
, 2H091FB08
, 2H091FC02
, 2H091FD04
, 2H091GA03
, 2H091GA07
, 2H091GA13
, 2H091JA03
, 2H091LA12
, 2H092GA13
, 2H092GA19
, 2H092GA29
, 2H092HA04
, 2H092HA05
, 2H092JA24
, 2H092JA46
, 5F033HH09
, 5F033HH10
, 5F033HH17
, 5F033HH35
, 5F033HH38
, 5F033JJ01
, 5F033JJ09
, 5F033JJ10
, 5F033JJ35
, 5F033JJ38
, 5F033KK01
, 5F033KK05
, 5F033LL02
, 5F033MM05
, 5F033NN06
, 5F033PP15
, 5F033QQ01
, 5F033QQ09
, 5F033QQ19
, 5F033QQ37
, 5F033QQ53
, 5F033RR06
, 5F033RR21
, 5F033RR27
, 5F033VV06
, 5F033VV15
, 5F033XX10
, 5F110AA16
, 5F110AA26
, 5F110BB01
, 5F110CC07
, 5F110DD01
, 5F110DD02
, 5F110EE02
, 5F110EE04
, 5F110EE44
, 5F110FF03
, 5F110FF29
, 5F110GG02
, 5F110GG15
, 5F110GG24
, 5F110GG44
, 5F110HK04
, 5F110HK09
, 5F110HK16
, 5F110HK21
, 5F110HK25
, 5F110HK33
, 5F110HK34
, 5F110HL03
, 5F110HL06
, 5F110HL07
, 5F110HL10
, 5F110HL11
, 5F110HL23
, 5F110NN03
, 5F110NN04
, 5F110NN24
, 5F110NN27
, 5F110NN36
, 5F110NN40
, 5F110QQ01
, 5F110QQ09
引用特許:
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