特許
J-GLOBAL ID：200903038263457032

半導体装置

発明者：
内山 徳弘

内山 徳弘 について


出願人/特許権者：
関西日本電気株式会社

関西日本電気株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-024677
公開番号（公開出願番号）：特開2001-210671
出願日： 2000年01月28日
公開日（公表日）： 2001年08月03日
要約：
【要約】【課題】 電極表面が酸化しているとリードや導電箔との接続面積を拡大してもオン抵抗を下げることができなかった。【解決手段】両面に主電流が流入または流出する第1、第2の電極を形成した半導体ペレットの第1の電極をアイランドに電気的に接続してマウントし、第2の電極とリードとを導電箔を介して電気的に接続した半導体装置において、上記導電箔の第2の電極と対向する面に、加圧により塑性変形可能な導電部材よりなる突起を形成し、この突起の周面を膨出させて第2の電極と導電箔とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
請求項（抜粋）：
両面に主電流が流入または流出する第1、第2の電極を形成した半導体ペレットの第1の電極をアイランドに電気的に接続してマウントし、第2の電極とリードとを導電箔を介して電気的に接続した半導体装置において、上記導電箔の第2の電極と対向する面に、加圧により塑性変形可能な導電部材よりなる突起を形成し、この突起の周面を膨出させて第2の電極と導電箔とを電気的に接続したことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/60 311 ,  H01L 21/52
FI (2件)：
H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/52 A
Fターム (5件)：
5F044LL13 ,  5F044LL15 ,  5F044NN07 ,  5F047AA11 ,  5F047BA01
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 電力用トランジスタの実装構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-283368   出願人：日産自動車株式会社
  • 特開昭62-200738
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-083519   出願人：富士通テン株式会社

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