特許

J-GLOBAL ID：200903038273546700

層間絶縁膜とレジスト材料層との密着性改善方法

発明者： 前田 圭一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田治米 登 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-043520
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242028
出願日： 1997年02月27日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】 半導体装置などの層間絶縁膜とその上に形成されるレジスト材料層との間の密着性を改善する。【解決手段】 層間絶縁膜2とその上に形成されるレジスト材料層3との間の密着性改善方法であって、レジスト材料層3を形成する前に、予め層間絶縁膜2の表面をプラズマ処理又はイオン注入処理しておく。

請求項（抜粋）：

層間絶縁膜とその上に形成されるレジスト材料層との間の密着性改善方法であって、レジスト材料層を形成する前に、予め層間絶縁膜の表面をプラズマ処理又はイオン注入処理しておくことを特徴とする密着性改善方法。

IPC (7件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/30 563 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/38 501 ,  H01L 21/316 P ,  H01L 21/265 Y ,  H01L 21/302 N ,  H01L 21/90 A