特許

J-GLOBAL ID：200903038277791300

半導体装置およびその製造方法

発明者： 秋山 直人
出願人/特許権者： NECエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193018
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039775
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】リーク電流が少なく、リーク電流と耐圧を同時に満足させることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ゲート絶縁膜の膜厚が独立設定されて同一基板10a上に形成された、同一電源電圧で動作する複数のトランジスタの中の、最も薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタを電源保護素子として使用するMpcore15を形成した。さらに、この電源保護素子として使用するトランジスタの閾値は、最も薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタの閾電圧よりも高く設定されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ゲート絶縁膜の膜厚が独立設定されて同一基板上に形成された、同一電源電圧で動作する複数のトランジスタの中の、最も薄いゲート絶縁膜を有するトランジスタを電源保護素子として使用したことを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/8234 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8244 ,  H01L27/04 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088 ,  H01L27/10 ,  H01L27/11

FI (6件)：

H01L27/08 102C ,  H01L27/06 311C ,  H01L27/10 461 ,  H01L27/08 102F ,  H01L27/04 H ,  H01L27/10 381

Fターム (53件)：

5F038BH07 ,  5F038BH15 ,  5F038EZ13 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA02 ,  5F048AB01 ,  5F048AB03 ,  5F048AC01 ,  5F048AC03 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB05 ,  5F048BB08 ,  5F048BB11 ,  5F048BB12 ,  5F048BB16 ,  5F048BB17 ,  5F048BB18 ,  5F048BC06 ,  5F048BD04 ,  5F048BE04 ,  5F048BF06 ,  5F048BF11 ,  5F048BG01 ,  5F048BG13 ,  5F048CC08 ,  5F048CC19 ,  5F048DA25 ,  5F048DA27 ,  5F048DA30 ,  5F083BS05 ,  5F083BS17 ,  5F083BS27 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA24 ,  5F083JA02 ,  5F083JA05 ,  5F083JA19 ,  5F083JA35 ,  5F083JA53 ,  5F083LA10 ,  5F083NA01 ,  5F083PR40 ,  5F083PR43 ,  5F083PR44 ,  5F083PR45 ,  5F083PR46 ,  5F083PR53 ,  5F083PR54 ,  5F083PR55 ,  5F083PR56 ,  5F083ZA07